Камера для испытаний на старение паром
Подходит для электронных разъемов, полупроводниковых микросхем, транзисторов, диодов, жидкокристаллических ЖК-дисплеев,
Сопротивление чипа, емкость, компоненты промышленности электронные компоненты металлический штырь припой тест
Ускоренное испытание срока службы до старения; Полупроводники, пассивные компоненты, окисление выводов деталей
Эксперимент. Микрокомпьютерный регулятор температуры, светодиодный цифровой дисплей, ПИД+ССР-управление, платина
Датчик температуры сопротивления (ПТ-100), разрешение 0,1℃, полностью автоматическое устройство безопасности.
Технологический параметр
Размеры внутреннего ящика (ШxВxГ) мм | 500x400x200 |
Размер внешней коробки (ШxВxГ) мм | 600x500x420 |
точность прибора для измерения температуры | ±0,5 |
Температура пара (℃) | До97℃ |
Контроллеры | ПИД-микрокомпьютерный регулятор температуры, режим нагрева ПИД+СКР. |
Время нагрева | около 45 минут точность управления ±0,5℃ |
Таймер | 9999 баллов. |
Напряжение | 220В мощность 2кВт. |
Особенность
I. Многодоменный двигатель ускорения коррозии
Система трехосного моделирования условий окружающей среды камеры выходит за рамки базовых паровых испытаний благодаря:
Электрохимическая стрессовая связь: контролируемое смещение напряжения (0–50 В постоянного тока) прикладывается к испытуемым образцам во время воздействия пара для имитации гальванической коррозии.
Профилирование ионного загрязнения: программируемая инъекция ионов Кл⁻/ТАК₄²⁻ (1–10 000 частей на миллион) в соответствии со стандартами МПК-9701
Интеграция теплового шока: переходы от –65°C до +200°C в течение 15-секундного времени выдержки
Модуляция давления: циклическое повышение давления 0,5–5,0 атм для проверки герметичности
II. Аналитика деградации материалов в наномасштабе
Системы мониторинга на месте в режиме реального времени:
1. Микроскопия с зондом Кельвина (КПФМ)
◦ Картирование поверхностного потенциала с разрешением 10 нм во время окисления
2. Электрохимические кварцевые микровесы
◦ Чувствительность определения изменения массы: ±0,3 нг/см².
3. Рамановская термография
◦ Бесконтактное картирование градиента температуры (±0,5°C)
4. Моделирование продолжительности жизни с помощью ИИ
◦ Нейронные сети, связывающие 37 параметров деградации с Среднее время безотказной работы
III Архитектура прецизионного управления
Расширение базовых возможностей ПИД+ССР:
• Адаптивное управление с нечеткой логикой: самонастраивающиеся алгоритмы поддерживают однородность ±0,05°C
• Многозонная терморегуляция: 12 независимых зон управления с подавлением перекрестных помех
• Резервирование платинового термометра сопротивления: тройная матрица датчиков с прослеживаемостью по ИСО 17025
• Прогнозируемое управление точкой росы: ИИ предотвращает образование конденсата на тестовых образцах
VI. Пакет услуг по экспертизе отказов
Возможности анализа после тестирования:
• 3D рентгеновская томография: реконструкция структуры пустот/пор с разрешением 0,5 мкм
• Времяпролетный SIMS: картирование элементов поверхностного загрязнения с точностью до частей на миллион
• Дифракция обратного рассеяния электронов (ЭБСД): кристаллографический анализ фазовых изменений
• Картирование сопротивления с помощью четырех зондов: количественная оценка деградации межсоединений
Подробности
Приложение